Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS822DNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS822
SIS822DNT-T1-GE3 Hakkında
SIS822DNT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük on-resistance (24mOhm @ 10V) sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, 4.5V ve 10V drive voltage seçenekleriyle farklı kontrol gereksinimlerine uyum sağlar. 435pF input capacitance ve 12nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok