Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS782DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS782DN
SIS782DN-T1-GE3 Hakkında
SIS782DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Schottky body diyot içeren bu transistör, 9.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8 SMD paketinde sunulan komponent, motor kontrol, DC-DC konvertörleri, LED sürücüleri ve güç yönetim devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -50°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 41W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1025 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok