Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS778DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS778DN
SIS778DN-T1-GE3 Hakkında
SIS778DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyot (body diode) yapısı sayesinde parazit diyot koruma sağlar. 5mOhm (10V, 10A koşullarında) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -50°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1390 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok