Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS698DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS698DN
SIS698DN-T1-GE3 Hakkında
SIS698DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 6.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 yüzey monte paketi ile sıkı alan gereksinimlerine uygun tasarlanmıştır. 6V ve 10V sürücü geriliminde düşük on-direnç (195mOhm @ 10V) sunarak verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok