Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS612EDNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS612EDNT
SIS612EDNT-T1-GE3 Hakkında
SIS612EDNT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketinde sağlanan bu bileşen, 3.9mOhm (4.5V, 14A'de) düşük on-direnci sayesinde güç kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Vgs(th) 1.2V olup, ±12V maksimum gate gerilim ile çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok