Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS606BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS606
SIS606BDN-T1-GE3 Hakkında
SIS606BDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 9.4A sürekli akım (Ta) ve 35.3A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 17.4mΩ RDS(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Güç yönetimi uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 30nC gate charge ve 1470pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliktedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok