Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS496EDNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS496
SIS496EDNT-T1-GE3 Hakkında
SIS496EDNT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 50A sürekli drenaj akımı (Id) ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.8mΩ maksimum on-resistance (Rds On @ 20A, 10V) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® 1212-8 paketlemesiyle kompakt tasarımlar için uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 45nC ve input capacitance 1515pF değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1515 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok