Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS468DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS468DN
SIS468DN-T1-GE3 Hakkında
SIS468DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 19.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 28nC gate charge ve 780pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. PowerPAK® 1212-8 SMD paketlemesiyle kompakt tasarımlara uygundur. Motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 52W maksimum güç kaybını (Tc) tolere edebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok