Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS454DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS454DN
SIS454DN-T1-GE3 Hakkında
SIS454DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 35A sürekli akım kapasitesine sahip olup, PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 3.7mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük geçiş direnci sağlayan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, enerji dağıtım sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok