Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS439DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS439
SIS439DNT-T1-GE3 Hakkında
SIS439DNT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi, anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük gate charge (68 nC @ 10V) ve 11mΩ on-direnci özelliği taşır. -50°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, mobil cihazlar, bilgisayar sistemleri ve endüstriyel elektronik devrelerde yer alır. Maksimum ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanı sağlar. Notunuz: Bu ürün Life Cycle Status olarak Obsolete (Üretilmiyor) konumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2135 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok