Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS438DN
SIS438DN-T1-GE3 Hakkında
SIS438DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 16A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 9.5mΩ RDS(on) değeri sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge değeri 23nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir şekilde çalışır. Güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motorcu kontrol uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok