Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS436DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS436DN
SIS436DN-T1-GE3 Hakkında
SIS436DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile küçük sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük 10.5mOhm on-state direnç değeri sayesinde enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. Gate kapasitesi 855pF ve gate yükü 22nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmeye uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol, DC-DC konvertörler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 855 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok