Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS435DNT
SIS435DNT-T1-GE3 Hakkında
SIS435DNT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 30A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulmakta, 5.4mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimliliği artırır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji yönetim devrelerinde kullanılmaktadır. 180nC gate charge değeri hızlı anahtarlama operasyonlarına ve düşük geçiş kayıplarına katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 13A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok