Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS434DN
SIS434DN-T1-GE3 Hakkında
SIS434DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 35A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7.6mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1530 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 16.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok