Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS430DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS430DN
SIS430DN-T1-GE3 Hakkında
SIS430DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajında 35A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-state direnci (5.1mΩ @ 20A, 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey monte paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate kapasitanı 1600pF ve gate yükü 40nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özelliklere sahiptir. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, LED sürücüler ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanım için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 12.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok