Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS429DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS429DNT
SIS429DNT-T1-GE3 Hakkında
SIS429DNT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, 21mOhm maksimum on-state direnci sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor denetim devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 50nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunarken, 1350pF input kapasitansı güç yönetiminde dikkat edilmesi gereken parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok