Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS427EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS427EDN
SIS427EDN-T1-GE3 Hakkında
SIS427EDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 50A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (10.6mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve maksimum 52W güç dağıtabilen transistör, mobil cihazlar, endüstriyel kontrol sistemleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok