Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS414DN
SIS414DN-T1-GE3 Hakkında
SIS414DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 16mΩ (maksimum) on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, düşük açma direnci sayesinde enerji verimliliği gerektiren anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Gate charge değeri 33nC ile hızlı açma/kapanma özelliği sağlar. Bileşen artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 795 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok