Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS413DN
SIS413DN-T1-GE3 Hakkında
SIS413DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajına ve 18A sürekli drain akımına dayanıklıdır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 9.4mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 110nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumlu olup, güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4280 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok