Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS322DNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS322DNT
SIS322DNT-T1-GE3 Hakkında
SIS322DNT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ile 38.3A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük 7.5mOhm on-dirençli tasarımı sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketi ile kompakt alan tasarımına uyum sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sağlayan bu transistör, hızlı anahtarlamaya izin veren düşük gate charge değeri (21.5nC @ 10V) ile karakterizedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok