Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS178LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS178
SIS178LDN-T1-GE3 Hakkında
SIS178LDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 70V Drain-Source gerilimi ve 13.9A (Ta) / 45.3A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 9.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücülerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 39W (Tc) maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. 28.5nC gate charge ve 1135pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.9A (Ta), 45.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1135 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok