Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS176
SIS176LDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIS176LDN-T1-GE3, 70V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 25°C'de 12.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, PowerPAK® 1212-8 yüzey monte paketinde sunulmaktadır. Maksimum 10.9mOhm on-state direnci (4.5V, 10A) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok