Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS128LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS128LDN
SIS128LDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIS128LDN-T1-GE3, 80V Drain-Source gerilimi ile çalışan N-kanal MOSFET transistördür. Sürekli dren akımı 25°C'de 10.2A (Ta) ve sıcak nokta sıcaklığında 33.7A (Tc) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük üstün direnç (Rds On: 15.6mOhm @ 10A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. Gate şarjı 30nC @ 10V olup, hızlı komutasyon uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, DC-DC konvertörleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface mount yapısı kompakt tasarımları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.2A (Ta), 33.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok