Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS126DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS126DN
SIS126DN-T1-GE3 Hakkında
SIS126DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10.2mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SIS126DN, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreler, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve ticari elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 45.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1402 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok