Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS110DN
SIS110DN-T1-GE3 Hakkında
SIS110DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ile tasarlanmış olup, 5.2A sürekli akım (Ta) ve 14.2A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 54mOhm maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge özelliği 13 nC olup hızlı anahtarlama gerektiren güç elektronik devrelerinde, motor kontrol, DC-DC konverter ve dijital güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok