Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS108DN
SIS108DN-T1-GE3 Hakkında
SIS108DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajında maksimum 6.7A sürekli akım (Ta) veya 16A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 34mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve verimli güç yönetimine imkan tanır. PowerPAK 1212-8 compact yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama karakteristikleriyle DC-DC konvertörleri, PWM kontrol devreleri ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok