Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRS700DP-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRS700DP
SIRS700DP-T1-GE3 Hakkında
SIRS700DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 30A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-state direnci (3.5mOhm @ 10V, 20A) ile verimli güç yönetimi sunar. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan SIRS700DP, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Yüksek gate charge ve düşük kapasitans özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, DC-DC konverterler, motor sürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde sıklıkla tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 127A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5950 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.4W (Ta),132W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok