Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRC16DP
SIRC16DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRC16DP-T1-GE3, N-channel MOSFET transistördür. 25V drenaj-kaynak gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket tipinde sunulmaktadır. 0.96mΩ maksimum RDS(on) değeri ile sürücü devreleri, AC/DC konverterler, batarya yönetim sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. 48nC gate charge ve 5150pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.96mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok