Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRC06DP
SIRC06DP-T1-GE3 Hakkında
SIRC06DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 32A (Ta) / 60A (Tc) sürekli drain akımı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu komponent, düşük 2.7mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyoda sahiptir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışır. Gate gerilimi ±20V / -16V aralığında ve 58nC gate yükü ile hızlı komütasyon gerektiren güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörü ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2455 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok