Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRC04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRC04DP
SIRC04DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRC04DP-T1-GE3, 30V/60A N-Channel MOSFET transistörü olup PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Entegre Schottky diyot (body diode) içeren bu FET bileşeni, düşük on-resistance (2.45mΩ @ 10V/15A) karakteristiği ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, 50W maksimum güç tüketimi ile DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 56nC gate charge ve 2850pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.45mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok