Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA99DP
SIRA99DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRA99DP-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistörü olup 30V drain-source gerilimi ve 47.9A sürekli drenaj akımı (Ta) kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.7mOhm (10V, 20A koşullarında) ON-direnç değeriyle düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 104W (Tc) güç tüketimine dayanabilen bu MOSFET, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 260nC (10V) kapı yükü ve 10955pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47.9A (Ta), 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10955 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.35W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok