Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA90ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA90ADP
SIRA90ADP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRA90ADP-T1-GE3, N-channel MOSFET transistörü olup 30V drain-source voltaj ve 71A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (0.78mOhm @ 20A, 10V) ile güç kaybını minimize eder. Gate charge karakteristiği 195nC ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Üretim durdurulmuş olup stok tükenmiş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Ta), 334A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9120 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 6.3W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.78mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok