Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA88BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA88BDP
SIRA88BDP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRA88BDP-T1-GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ile 19A sürekli akım (Ta) ve 40A pulsed akımı (Tc) destekler. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 6.83mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, DC-DC konverterlerde ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiş tasarımı, verimli anahtarlama ve düşük güç kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 17W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.83mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok