Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA84BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA84BDP
SIRA84BDP-T1-GE3 Hakkında
SIRA84BDP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 22A (Ta) / 70A (Tc) sürekli drain akımını destekler. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük 4.6mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 32nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimi ile tam iletim durumuna geçer, 2.4V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok