Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA74DP
SIRA74DP-T1-GE3 Hakkında
SIRA74DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile 24A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 81.2A darbe akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 4.2mΩ maksimum açık direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 41nC gate charge ve 2000pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 81.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok