Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA72DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA72DP
SIRA72DP-T1-GE3 Hakkında
SIRA72DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 3.5mΩ düşük on-direnci (RDS(on)) sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi, motor kontrol ve LED sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 30nC gate charge ve düşük input kapasitansı (3240pF) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok