Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA60DP
SIRA60DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRA60DP-T1-GE3, 30V ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 0.94mOhm açık kanal direnci (RDS-ON) ile karakterizedir. 60nC kapı yükü ve 7650pF giriş kapasitansı özellikleri hızlı anahtarlamayı destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 57W güç dağıtabilir. Verimli güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7650 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.94mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok