Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA58ADP
SIRA58ADP-T1-RE3 Hakkında
SIRA58ADP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 32.3A (Ta) / 109A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2.4V olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32.3A (Ta), 109A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3030 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok