Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA54DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA54DP
SIRA54DP-T1-GE3 Hakkında
SIRA54DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide FET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 60A sürekli drain akım yeteneği ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu MOSFET, düşük 2.35mOhm on-resistance değeri sayesinde ısı kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 10V gate drive voltajında minimum 48nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 36.7W güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok