Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA50ADP
SIRA50ADP-T1-RE3 Hakkında
SIRA50ADP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source voltajı ile tasarlanan bu bileşen, 25°C'de 54.8A ve ısıl ara yüzde 219A sürekli drenaj akımına sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, 1.04mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 2.2V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sunan cihaz, 100W (Tc) güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54.8A (Ta), 219A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.04mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok