Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA32DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA32DP
SIRA32DP-T1-RE3 Hakkında
SIRA32DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketi ile PCB tasarımında kompakt çözüm sunar. 1.2mOhm (10V, 15A) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 83nC gate charge ve 4450pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok