Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA26DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA26DP
SIRA26DP-T1-RE3 Hakkında
SIRA26DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi (Vdss) ve 60A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 2.65mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında dayanıklı performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2247 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok