Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA22DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA22DP
SIRA22DP-T1-RE3 Hakkında
SIRA22DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Vdss ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 0.76mOhm (10V, 15A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor sürücüleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 83.3W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 4.5V-10V gate sürüş voltajı ile CMOS ve TTL lojik devrelere direkt bağlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7570 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.76mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok