Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA20BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA20BDP
SIRA20BDP-T1-GE3 Hakkında
SIRA20BDP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajında 82A sürekli akım (Ta) veya 335A (Tc) kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 0.58mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket formatında sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Ta), 335A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9950 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.3W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.58mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok