Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA18DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA18DP
SIRA18DP-T1-RE3 Hakkında
SIRA18DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltajı ve 33A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 7.5mOhm on-resistance değeri sayesinde verimli güç yönetimi sağlar. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, LED sürücüleri ve diğer güç denetim devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve maksimum 14.7W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 14.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok