Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA18DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA18DP
SIRA18DP-T1-GE3 Hakkında
SIRA18DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 7.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama hızı, gate şarj kapasitesi (21.5nC) ve giriş kapasitansı (1000pF) parametreleri hızlı komütasyon gerektiren DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilmesini sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok