Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA18ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA18ADP
SIRA18ADP-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIRA18ADP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 30.6A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzeye monte paketinde sunulan transistör, düşük 8.7mΩ on-direnci (Rds On) ve 21.5nC kapı yükü ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama regülatörleri, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yer alan elektronik tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 14.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok