Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA14BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA14BDP
SIRA14BDP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRA14BDP-T1-GE3, PowerPAK SO-8 paketinde 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı (Ta) / 64A (Tc) kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 5.38mΩ maksimum Rds On değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma aralığında kullanılabilir. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 22nC gate charge ve 917pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 917 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.38mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok