Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA12DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA12DP
SIRA12DP-T1-GE3 Hakkında
SIRA12DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 4.3mOhm RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Gate charge 45nC ve 2070pF input kapasitansi özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışan bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.5W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok