Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA12BDP
SIRA12BDP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIRA12BDP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 27A (Ta)/60A (Tc) sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. 4.3mΩ (10A, 10V) düşük on-resistance değeri ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile verimli ve güvenilir çalışma sağlar. Surface mount yapısı kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok